特許
J-GLOBAL ID：200903095205348685
マスクパターンの作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147608
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338646
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 レジストが倒れたり剥がれるなどのことがないマスクパターンの作成方法を提供する。【解決手段】 基板上のダミーパターンを形成しない領域を論理変数の「1」として表した第5パターンと、基板に対応する領域全面に矩形状のダミーパターンを論理変数の「1」として表したパターン領域を規則的に配列し、ダミーパターン以外の領域を論理変数の「0」として表した第7パターン15との論理積をとって得られた第8パターン16に対し、それぞれのダミーパターンの各辺から中心に向かう方向に閾値サイズの1/2である3μmの幅の領域を減算し、マイナスになって図形として表せなくなるダミーパターンを消去する処理を行った後拡大することにより、閾値サイズ以上のサイズのダミーパターンだけを選択的に残したダミーパターン18を得る。
請求項（抜粋）：
パターニング領域内のダミーパターン形成領域を第1の論理変数で表した第1のパターンと、前記パターニング領域全面に第1の論理変数で表した所定数のダミーパターンを配した第2のパターンとの論理積をとって、前記パターニング領域内に形成するダミーパターンを表した中間パターンを形成し、前記中間パターンから予め定めた閾値サイズ以下のダミーパターンを消去する処理を行うマスクパターンの作成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, G06F 17/50
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, G06F 15/60 658 M
2H095BB01
, 2H095BB31
, 5B046AA08
, 5B046BA04
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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