特許
J-GLOBAL ID：200903024613858069
露光用マスクのマスクパターン設計方法、並びに半導体集積回路の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293391
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】第1の被処理層に形成されたパターン面積率の大小に依存することなく、第2の被処理層の平坦化処理を行うことを可能とする、露光用マスクのマスクパターン設計方法を提供する。【解決手段】マスクパターン設計方法は、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程から成る。
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された第1の被処理層にパターンを形成し、次いで、全面に第2の被処理層を形成した後、該第2の被処理層をケミカル・メカニカル・ポリッシュ法にて平坦化して半導体集積回路を作製する際、該パターン形成のために用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの設計方法であって、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程、から成ることを特徴とする露光用マスクのマスクパターン設計方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G06F 17/50
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G06F 15/60 658 M
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 Z
