酸化セリウム研磨剤、半導体チップおよび半導体装置、それらの製造法、ならびに、基板の研磨法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三品岩男 , 大関光弘 , 西村雅子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364621
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128511
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】グローバルな平坦化が可能で、かつ、微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜を研磨する。【解決手段】次の酸化セリウム粒子を水に分散させたスラリーを含む研磨剤。(1)炭酸セリウム分散水溶液に過酸化水素を添加して得られる酸化セリウム粒子。(2)硝酸セリウム水溶液に炭酸水素アンモニウムを添加して得られた沈殿物を過酸化水素で酸化して得た酸化セリウム粒子。(3)硝酸アンモニウムセリウム水溶液を中性又はアルカリ性にして得られる酸化セリウム粒子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水中に酸化セリウム粒子を分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜を研磨する酸化セリウム研磨剤。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622B , H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D

Fターム (18件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB02 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 4G076AA02 , 4G076AB07 , 4G076AB10 , 4G076AB18 , 4G076BA13 , 4G076BA43 , 4G076BE11 , 4G076CA05 , 4G076CA15 , 4G076CA26 , 4G076CA27 , 4G076CA33 , 4G076DA30

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平4-055315
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-115457 出願人：株式会社東芝
酸化物粒子及びその製造法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-505280 出願人：ロデールインコーポレーテッド

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審査官引用 (1件)

特開平4-055315

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