特許
J-GLOBAL ID：200903095207621150

静磁気結合を利用した磁性ランダムアクセスメモリセル

発明者：
松山 公秀

松山 公秀 について

, 
能崎 幸雄

能崎 幸雄 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408344
公開番号（公開出願番号）：特開2005-174969
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】静磁気結合を利用した磁気メモリセルを提供する。【解決手段】磁性ランダムアクセスメモリセル1は、フリー層2と、セルにおける非磁性層(主非磁性層)3とピン層4とが積層された構造を有している。フリー層2を、一軸磁気異方性Kuの大きさが異なる二つの強磁性層即ちソフト磁性層5及びハード磁性層7とこれを分離する非磁性層6とから構成する。そして二つの強磁性層即ちソフト磁性層5及びハード磁性層7を非磁性層6を介して静磁気結合する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ピン層と主非磁性層とフリー層とが積層された構造を有する磁性ランダムアクセスメモリセルであって、 前記フリー層が、一軸磁気異方性Kuの大きさが異なる二つの強磁性層とこれを分離する非磁性層とから構成され、前記二つの強磁性層が前記非磁性層を介して静磁気結合していることを特徴とする磁性ランダムアクセスメモリセル。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
Fターム (8件)：
5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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