特許

J-GLOBAL ID：200903095234848239

同期型半導体記憶装置および同期型メモリモジュール

発明者： 小西 康弘 ,  岩本 久 ,  荒木 岳史 ,  村井 泰光 ,  澤田 誠二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167348
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011966
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 クロックアクセス時間およびデータホールド時間を用途に応じて最適値に設定することができ、かつクロックアクセス時間を短縮することのできる同期型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 外部信号の入力の制御および内部動作制御のための第1のクロック信号(extCLKM)とデータ出力の制御を行なうための第2のクロック信号(extCLKO)をそれぞれ別々のクロック入力ノード(1,2)へ与える。第1のクロック信号に対するデータ出力タイミングを調整することができ、クロックアクセス時間およびデータホールド時間を調整することができる。

請求項（抜粋）：

所定の周波数を有する外部からの第1のクロック信号を受ける第1のノードと、前記第1のノードへ与えられる前記第1のクロック信号に同期して、装置外部から与えられる制御信号およびアドレス信号を取込み、内部制御信号および内部アドレス信号を生成する入力バッファ手段、外部からの、前記第1のクロック信号と位相の異なる第2のクロック信号を受ける第2のノード、および前記第2のノードに与えられる前記第2のクロック信号に同期して、内部読出データを受けてバッファ処理して外部読出データを生成して装置外部へ出力する出力バッファ手段を備える、同期型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-332007   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体記憶装置とそのパイプライン動作制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355157   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118185   出願人：富士通株式会社
• 同期型半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191310   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049569   出願人：富士通株式会社
• 同期型半導体記憶装置およびそのデータ読出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021426   出願人：三菱電機株式会社