特許
J-GLOBAL ID：200903095247408602

半導体装置及びその製造方法

発明者：
加納 史義

加納 史義 について

, 
磯部 良彦

磯部 良彦 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091431
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜の平坦化が十分に行えるようにし、層間絶縁膜のディッシングをなくす。【解決手段】 まず、半導体基板1の一面側から突出した凸部3を覆うように、半導体基板1の一面側に1層目、2層目層間絶縁膜4、5を形成する。そして、2層目層間絶縁膜5よりも硬い材料で構成された3層目層間絶縁膜6で2層目層間絶縁膜5を覆う。その後、3層目層間絶縁膜6のみを研磨することにより、3層目層間絶縁膜6の突出した凸部6aを削り、3層目層間絶縁膜6を平坦化する。層間絶縁膜を硬い材料で構成するほど、層間絶縁膜の凹凸における研磨除去速度の差を大きくできるため、硬い3層目層間絶縁膜6をCMP研磨にて平坦化すれば、3層目層間絶縁膜6の凹凸における除去速度の差を大きくでき、十分な平坦化が行えると共に層間絶縁膜のディッシングをなくせる。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)の一面側から突出した凸部(3)を覆うように、前記半導体基板(1)の前記一面側に第2の層間絶縁膜(5)を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜(5)を覆うように、前記半導体基板(1)の前記一面側に、前記第2の層間絶縁膜(5)よりも硬い材料で構成された第1の層間絶縁膜(6)を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜(6)のみを研磨することにより、該第1の層間絶縁膜(6)の突出した部分(6a)を削り、該第1の層間絶縁膜(6)を平坦化する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/461
FI (3件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/461
Fターム (8件)：
5F033AA65 ,  5F033EA02 ,  5F033EA03 ,  5F033EA05 ,  5F033EA25 ,  5F033EA27 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33
引用特許：
審査官引用 (9件)
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