半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253295
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067266
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】リーク電流を減らすことを可能にするとともにフラットバンド電圧がシフトするのを抑制することを可能にする。【解決手段】半導体基板2上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜6と、電気伝導体膜上に設けられたゲート電極8と、を備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜と、前記電気伝導体膜上に設けられたゲート電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

Fターム (59件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA04 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF14 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF38 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BK13 , 5F140BK21

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,013,553号明細書
米国特許第6,020,243号明細書

審査官引用 (6件)

非平坦性の影響を最小限にするトランジスタ金属ゲート構造および製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-550282 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090166 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135749 出願人：ソニー株式会社

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