半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008301
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217409
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】誘電特性を保ちつつ、物理的膜厚を厚くし、リーク電流の発生が防止された半導体装置を実現する。【解決手段】シリコン基板1の一主面側に、酸化チタンを主構成材料とするゲート絶縁膜6、7が形成されている。また、これらゲート絶縁膜6、7に接触してゲート電極膜8、9とが形成されている。これらゲート電極膜8、9の主構成材料を酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムとする。ゲート絶縁膜6、7である酸化チタンにゲート電極膜8、9から導電性元素が拡散して入り込まないようにするためには、酸化チタンに接触するゲート電極膜8、9の主材料として酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムを用いることが有効である。これによって、誘電特性を保ちつつ、物理的膜厚を厚くし、リーク電流の発生が防止された半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板の一主面側に形成され、酸化チタンを主構成材料とするゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜に接触して形成され、主構成材料が酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムであるゲート電極膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/62 G

Fターム (54件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD19 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC12 , 5F040ED01 , 5F040ED02 , 5F040ED03 , 5F040EJ02 , 5F040EL02 , 5F040FA05 , 5F083AD01 , 5F083AD24 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA28 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329698 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-335709 出願人：株式会社東芝
特開昭55-102242

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