特許
J-GLOBAL ID：200903095506351118

構成可能な電力増幅器及びバイアス制御

発明者：
フィンレー、 ヒュー ジェイ.

フィンレー、 ヒュー ジェイ. について

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ブルーム、 マーク

ブルーム、 マーク について

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フラワー、 トーマス

フラワー、 トーマス について


出願人/特許権者：
コネクサント システムズ インコーポレイテッド

コネクサント システムズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  三好 保男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533471
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511159
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
バイアス制御(300)は、バイアス制御により発生したバンドギャップ電圧(442)またはバイアス制御の外部のバイアス電圧に基づいて、電力増幅器(120)のバイアスを選択的に与える。コントローラ(420)が、バンドギャプ電圧(442)または外部バイアス電圧のいずれかの選択を制御する。バイアス制御は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの低電圧供給レベルで動作可能な第1の半導体材料で作られ、電力増幅器と共通する集積回路に組み立てられてよい。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
高周波入力信号を増幅する高周波(RF)電力増幅器と、 前記RF電力増幅器に一定のバイアス電流を与えるように構成された構成可能なバイアスコントローラとを含み、 前記構成可能なバイアスコントローラは、第1の半導体材料で作られ、 前記RF電力増幅器は、第2の半導体材料に構成される通信デバイス。
IPC (3件)：
H03F3/24 ,  H03F1/02 ,  H03G3/10
FI (3件)：
H03F3/24 ,  H03F1/02 ,  H03G3/10 A
Fターム (31件)：
5J100AA26 ,  5J100BA01 ,  5J100BB15 ,  5J100BC00 ,  5J100EA02 ,  5J100FA01 ,  5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC36 ,  5J500AF10 ,  5J500AH02 ,  5J500AH10 ,  5J500AH17 ,  5J500AH18 ,  5J500AH24 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH38 ,  5J500AK00 ,  5J500AK01 ,  5J500AK09 ,  5J500AK11 ,  5J500AK12 ,  5J500AM01 ,  5J500AM02 ,  5J500AM11 ,  5J500AM21 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500RG09 ,  5J500WU08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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