特許
J-GLOBAL ID：200903095526617815
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133485
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 ハロゲンや赤リンを含まない難燃性エポキシ封止樹脂により半導体チップを封止すること。【解決手段】 ハロゲン、赤リンおよび無機リン化合物の代わりに、難燃化剤として金属酸化物、金属水酸化物、ホウ酸を含有する金属、ホウ酸を含有する有機化合物、リン酸エステル化した有機リン化合物、またはシリコンポリマーを含むエポキシ樹脂により、半導体チップを樹脂封止する。または、ハロゲン、赤リン、無機リン化合物、金属酸化物、金属水酸化物、ホウ酸を含有する金属、ホウ酸を含有する有機化合物、有機リン化合物を金属水酸化物により表面処理した化合物、およびシリコンポリマーのいずれも含まず、難燃化剤として、主鎖にベンゼン環を有する化合物や脂環式化合物などのように、原子間の結合が強い有機化合物を含むエポキシ樹脂により、半導体チップを樹脂封止する。
請求項（抜粋）：
半導体チップを、ハロゲンを含有しないエポキシ封止樹脂により封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 23/29
, C08K 3/22
, C08K 3/38
, C08K 5/521
, C08K 5/55
, C08L 63/00
, C08L 83/04
, H01L 23/31
C08K 3/22
, C08K 3/38
, C08K 5/521
, C08K 5/55
, C08L 63/00 C
, C08L 83/04
, H01L 23/30 R
4J002CD041
, 4J002CD061
, 4J002CE001
, 4J002CP032
, 4J002DE076
, 4J002DE096
, 4J002DE116
, 4J002DE146
, 4J002DG026
, 4J002DK007
, 4J002EW048
, 4J002EY017
, 4J002FD136
, 4J002FD137
, 4J002FD138
, 4J002GQ05
, 4M109AA01
, 4M109EA02
, 4M109EB07
, 4M109EC01
