特許
J-GLOBAL ID：200903095562343535

張り合わせ基板およびその製造方法

発明者：
大井 浩之

大井 浩之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044398
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 デバイス作製側ウェーハを無欠陥化し、その電気的特性を高めた張り合わせ基板とその製法を提供する。【解決手段】 デバイス作製側をピュアシリコンウェーハとして張り合わせる。ピュアシリコンウェーハは、CZインゴットの引上の際、引上速度、結晶内温度勾配の平均値を制御し、Grown-in欠陥を排除している。引上速度をVmm/min、Si融点から1300°Cまでの引上軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG°C/mmとし、V/Gを、結晶中心から45mmまでの領域で、0.20〜0.22mm2/°C・min、45mmから外側の領域でV/Gが単調に増加するように目標引上速度を設定する。張り合わせは通常の条件で行う。
請求項（抜粋）：
第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハとを張り合わせた張り合わせ基板において、第1のシリコンウェーハおよび第2のシリコンウェーハのうち、少なくともデバイスが作製される側のシリコンウェーハを、ウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハとした張り合わせ基板。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  C30B 29/06 C ,  C30B 29/06 502 J
Fターム (5件)：
4G077AA02 ,  4G077AA10 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077FF07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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