特許
J-GLOBAL ID：200903095626641853
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010127
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270611
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】強誘電体薄膜を使った樹脂封止型半導体装置の強誘電体特性劣化防止およびハンダリフロー耐性の向上を発明の課題とする。【解決手段】半導体素子の表面保護膜を、ポリイミド前駆体組成物膜を230°C〜300°Cで加熱して硬化させて形成する。表面保護膜は、ガラス転移温度が240°C〜400°Cであり、かつ、ヤング率が2600MPa〜6GPaであるポリイミドからなる。また、ポリイミド前駆体組成物の加熱硬化温度が300°Cより高温であっても、350°C以下の短時間(用いる半導体素子の耐熱性にもよるが、通常4分以内)の熱処理で、かつ、形成されるポリイミド膜のヤング率が3500MPa以上、ガラス転移温度が260°C以上であれば、強誘電体膜の分極特性を劣化させることなく、本発明の課題を解決することができる。
請求項（抜粋）：
強誘電性膜および表面保護膜を有する半導体素子と、樹脂からなる封止部材とを備え、上記表面保護膜はポリイミドからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
H01L 23/30 A
, H01L 21/56 R
, H01L 23/30 D
, H01L 23/30 B
