プラズマ処理装置及び処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-056181
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332321
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】高精度な加工を実現することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室104、該真空処理室104内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置105、前記真空処理室104内に配置され被処理材114を載置する基板電極115、該電極にバイアス電圧を供給する基板バイアス電源117及び前記真空処理室104内にプラズマを生成するプラズマ生成手段112を備え、前記真空処理室104内に配置した被処理材114にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記基板バイアス電源は基板バイアス電源の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を所定電圧にクリップするクリップ回路を有する。

請求項（抜粋）：

真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化する高周波電圧波形制御回路を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , B01J 3/00 , B01J 19/08 , B81C 5/00 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (7件)：

B01J 3/00 J , B01J 19/08 E , B81C 5/00 , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L , H05H 1/46 R , H01L 21/302 101 D

Fターム (56件)：

4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075BC06 , 4G075CA12 , 4G075CA26 , 4G075CA47 , 4G075DA01 , 4G075EB01 , 4G075EC21 , 4G075EC30 , 4G075FB06 , 4G075FC15 , 4K057DA11 , 4K057DA16 , 4K057DB05 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE09 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG11 , 4K057DM01 , 4K057DM16 , 4K057DM18 , 4K057DM33 , 4K057DN01 , 5F004AA02 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB22 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004DB23 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

プラズマ生成方法及び装置とそれを用いたプラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219824 出願人：株式会社日立製作所
特公昭56-53853号公報

審査官引用 (6件)

プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-179792 出願人：株式会社日立製作所
パルス波形バイアス電力
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-253481 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体デバイスの製造方法及びそれに用いるプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-224787 出願人：株式会社日立製作所

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