特許

J-GLOBAL ID：200903095738859240

半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 林 文彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154561
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332640
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルのソース領域のシリサイド化を行わないことで、シリサイド化が阻害されることによる抵抗のばらつきを無くすと共に、段差部にシリサイド膜が形成されることを防止して、シリサイド膜断線による抵抗のばらつきを発生させない半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 自己整合プロセスによりソース領域が形成されたメモリセル部11を有する半導体記憶装置であって、ソース拡散層16の表面の一部に、ソース拡散層16のシリサイド化による抵抗のばらつきを発生させないシリサイド化阻止部を有する。

請求項（抜粋）：

自己整合プロセスによりソース領域が形成されたメモリセル部を有する半導体記憶装置であって、前記ソース領域の表面の一部に、前記ソース領域のシリサイド化による抵抗のばらつきを発生させないシリサイド化阻止部を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (9件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 371

Fターム (100件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD89 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF23 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  5F001AA01 ,  5F001AB08 ,  5F001AG07 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS13 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX10 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083GA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035711   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-234363   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-095660   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-028142   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-336774   出願人：日本電気株式会社