特許
J-GLOBAL ID：200903095818857809
酸化亜鉛薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-112895
公開番号（公開出願番号）：特開2009-197333
出願日： 2009年05月07日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】良好な結晶性を有する膜を高い成膜速度で大面積に成膜することができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法およびこの方法により成膜した酸化亜鉛薄膜を提供する。【解決手段】成膜室中に陽極として配置されたハース51に装填された酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームPBを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、蒸着材料と対向して配置された基板Wの表面に蒸着物質を付着させて薄膜を得る。このとき、ハース51の周囲に配した磁場制御部材によりハース51に近接した上方の磁界を制御し、また、ハース51が真空容器10に対して+30〜+60Vの電位となるように電圧を印加する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に成膜され、バンドギャップ中に300meV以上の深い準位を持たず、77Kで測定したフォトルミネッセンススペクトルにおいてバンド端発光のピークのみを示すことを特徴とする酸化亜鉛薄膜。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA49
, 4K029BB07
, 4K029BC09
, 4K029CA04
, 4K029DA08
, 4K029DD06
