特許
J-GLOBAL ID：200903096026971333

半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法

発明者：
佐沢 洋幸

佐沢 洋幸 について

, 
西川 直宏

西川 直宏 について

, 
秦 雅彦

秦 雅彦 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250968
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072029
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エピタキシャル結晶基板を提供すること。【解決手段】下地基板1上にエピタキシャル法によって、バッファ層2、チャネル層3、及び電子供給層4から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してAlNを電子供給層4上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜5を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル法にて成長した窒化ガリウム半導体結晶層表面にパッシベーション膜あるいはゲート絶縁膜となる誘電体膜が付与されている、トランジスタ製造用の窒化ガリウム系の半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法であって、 エピタキシャル成長炉内で前記窒化ガリウム半導体結晶層の成長に連続してAlNを積層し、 積層されたAlNを酸化処理することによって前記誘電体膜を形成するようにした ことを特徴とする半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C23C 16/00
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L21/316 A ,  H01L21/302 105B ,  H01L29/80 H ,  C23C16/00
Fターム (64件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB14 ,  5F004EB01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045CA05 ,  5F045CA06 ,  5F045CB02 ,  5F058BA05 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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