半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河宮治 , 石野正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-191737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024927
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】HEMT性能を向上させる。【解決手段】本発明は、ヘテロ構造上で、若干のHEMTトランジスタを製造する方法と同様に、MOCVDを用いてSiN層をいささかも除去することなく、表面に接点を蒸着させることにより、構造の冷却および反応器からの試料の取り出しに先立ち、高温で成長が起こる反応器内で、最上部AlGaN層上の表面を薄いSiN層で覆うことにより、より高性能(出力)を伴い、有機金属気相成長法により成長させられた、HEMT、MOSHFET、MISHFET素子、またはMESFET素子のような、III族-N電界効果素子を製造するための新規な方法を解説している。本発明は素子も解説している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、第1活性層と、前記第1活性層上の第2活性層であって、前記第1活性層より高いバンドギャップを有しているものと、前記第1活性層と前記第2活性層との間の二次元電子ガス層と、前記第2活性層上の、電子供与体元素および窒素を含む不動態化層と、前記不動態化層上に直接的なソース接点およびドレイン接点とを含む半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L21/28 301B , H01L29/80 Q

Fターム (51件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC01 , 4M104DD78 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045EB15 , 5F045EE17 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102GV09 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許出願公開第2003/0020092A1号公報
国際特許出願公開第01/13436 A1号公報
米国特許第5,192,987号明細書

審査官引用 (6件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094755 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその作製方法並びに半導体装置応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-208904 出願人：株式会社渡邊商行, 杉野隆
電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社

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