特許

J-GLOBAL ID：200903025064012590

半導体装置及びその製造方法

発明者： 廣瀬 裕 ,  井上 薫 ,  池田 義人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-409516
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247709
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】 ショットキー接合を介して流れるリーク電流を低く抑えると共に、窒化物半導体層に対するゲート電極の密着性を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体装置は、GaN層13と、GaN層13の上に形成されたゲート電極16とを備える。ゲート電極16はSiを含んでおり、GaN層13とゲート電極16との間にAl2O3 膜が介在している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体層と、 前記III族窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極とを備え、 前記ゲート電極は密着性促進元素を含んでおり、 前記III族窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に熱酸化絶縁膜が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 Q ,  H01L21/316 C

Fターム (21件)：

5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225077   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-320092   出願人：工業技術院長

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-248381   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-119145
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347634   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-041583   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-388865   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-119145