半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-339952
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156429
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】AlGaN層の表面を平坦とし、かつ、AlGaN/GaN界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板12を用意して、支持基板上にバッファ層14を堆積させる。次に、支持基板及びバッファ層を900°C以上1100°C以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、GaN層16及びAlGaN層20を順次に積層してGaN半導体基板10を形成する。GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、GaN半導体基板を500°C以上成長温度以下の温度に保持した状態で、AlGaN層の上側表面28上に、表面保護膜としてAlN層30を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板を用意する工程と、前記支持基板上にバッファ層を堆積させる工程と、前記支持基板及び前記バッファ層を900°C以上1100°C以下に設定された成長温度に保持した状態で、前記バッファ層上に、GaN層及びAlGaN層を順次に積層してGaN半導体基板を形成する工程と、前記GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、前記GaN半導体基板を500°C以上前記成長温度以下の温度に保持した状態で、前記AlGaN層の上側表面上に、表面保護膜としてAlN層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/283

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L21/28 301R , H01L21/283 C

Fターム (54件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD09 , 4M104DD15 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104FF17 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104HH12 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB13 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GT10 , 5F102GV05 , 5F102GV09 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21 , 5F102HC27

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094755 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-060221 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所

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