特許
J-GLOBAL ID:200903096228952284
発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-042797
公開番号(公開出願番号):特開2006-295132
出願日: 2006年02月20日
公開日(公表日): 2006年10月26日
要約:
【課題】赤色蛍光体の高効率励起に適した紫外光LEDを提供し、また、他の可視光蛍光体と組み合わせて高効率、高演色の発光装置を実現することを目的とする。【解決手段】第1と第2の面を有する透明基板と、透明基板の前記第1の面上に設けられた半導体層と、半導体層の上に設けられ半導体層の半導体の禁制帯幅よりも大きいエネルギーに相当する波長を含む第1の紫外光を発する第1の発光層と、第1の発光層と半導体層との間に設けられ第1の発光層で発せられる第1の紫外光を吸収し半導体層の半導体の禁制帯幅よりも小さいエネルギーに相当する波長を含む第2の紫外光を発する第2の発光層と、第1の発光層に対して通電を行うために設けられた第1の電極及び第2の電極とを具備することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1と第2の面を有する透明基板と、
前記透明基板の前記第1の面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層の上に設けられ前記半導体層の半導体の禁制帯幅よりも大きいエネルギーに相当する波長を含む第1の紫外光を発する第1の発光層と、
前記第1の発光層と前記半導体層との間に設けられ前記第1の発光層で発せられる前記第1の紫外光を吸収し前記半導体層の半導体の禁制帯幅よりも小さいエネルギーに相当する波長を含む第2の紫外光を発する第2の発光層と、
前記第1の発光層に対して通電を行うために設けられた第1の電極及び第2の電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L33/00 C
, H01L33/00 N
Fターム (17件):
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CB15
, 5F041CB28
, 5F041DA12
, 5F041DA58
, 5F041EE23
, 5F041EE25
, 5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
-
窒化物系半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-109507
出願人:シャープ株式会社
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白色LED
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-129189
出願人:株式会社フジクラ
-
半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-017098
出願人:ローム株式会社
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