特許
J-GLOBAL ID：200903027990168106
半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 河宮 治
, 山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051799
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260111
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】視野角に寄らず色ムラが少なく、混色制御が極めて容易な多色発光を実現する半導体発光素子を提供する。【解決手段】積層方向に複数の発光部を有するモノリシックな半導体発光素子において、その半導体発光素子の4つの隅部に電極を有する構造として各発光部の面積を実質的に同一にし、発光層のバンドギャップが小さい構造から順に基板上へ積層しているため短波長発光が長波長発光層に吸収されること無く取り出すことにより、視野角に寄らず混色が均一な多色発光素子を実現する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、2または3組のダブルヘテロ構造が絶縁層で分離されて積層され、ここに、該2または3組のダブルヘテロ構造の各々は第1導電型クラッド層、発光層および第2導電型クラッド層を含み;該発光層は該第1導電型クラッド層および該第2導電型クラッド層で挾持され;該2または3組のダブルへテロ構造は、互いに異なる波長の光を発光し;および、該2または3組のダブルへテロ構造は、実質的に同一の発光面積を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA05
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA93
, 5F041CB28
, 5F041DA43
, 5F041FF01
