液晶表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204339
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023192
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部(配向膜を含む)に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。その画素部の構成を図1に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。また、対向基板上にBM層を作製する代わりにゲート信号線周辺をBMで覆い、このBMを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に複数のソース信号線と複数のゲート信号線と、複数の画素とを有し、前記複数の画素は、画素TFTと、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に配置された液晶部分とを有し、前記液晶部分は、第1の配向膜と、第2の配向膜と、前記第1の配向膜と前記第2の配向膜に挟まれた液晶とを有し、前記画素TFTのゲート電極は、前記複数のゲート信号線の1つと接続され、前記画素TFTのドレイン領域とソース領域とは、一方は前記複数のソース信号線の1つに接続され、もう一方は前記画素電極に接続され、前記第1の配向膜は、前記画素電極と前記液晶との間に配置され、前記第2の配向膜は、前記対向電極と前記液晶の間に配置され、前記複数のゲート信号線が、前記画素TFTのソース電極及びドレイン電極を構成する導電物質で形成された表示装置において、前記ゲート信号線と、前記第1の配向膜との間に絶縁層を有し、かつ前記絶縁層は、前記ゲート信号線をパターニングする工程で絶縁物質からなる層をパターニングして形成されることを特徴とする表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (9件)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 C , H01L 21/88 R , H01L 21/88 Z , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 619 B

Fターム (141件)：

2H092GA29 , 2H092GA48 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB04 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA30 , 2H092NA11 , 2H092NA27 , 2H092PA02 , 2H092PA03 , 2H092PA06 , 2H092RA10 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ33 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033UU01 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX19 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-358956 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-232103 出願人：株式会社日立製作所
液晶表示パネル及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008718 出願人：日本電気株式会社

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