特許
J-GLOBAL ID：200903096516109494

電力変換装置

発明者：
櫻井 直樹

櫻井 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-061977
公開番号（公開出願番号）：特開2009-219294
出願日： 2008年03月12日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】 電力変換装置において、ICチップ内部に設けられた低電位系から高電位系への信号伝達手段の絶縁劣化を低減する。【解決手段】 マイコン10からの制御信号をICチップ内部に設けられたパルストランス22,23を介して伝達し、パルストランス22,23を介して伝達された制御信号を下アームIGBT1へ出力する下アーム側回路14と、下アーム側回路14のパルストランス22を介して伝達された上アームIGBT3の制御信号の電位変換を行う高耐圧nMOS30と、高耐圧nMOS30で電位変換された制御信号を上アームIGBT3へ出力する上アーム側回路15と、を有する電力変換装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バッテリに接続される端子間に直列接続され、中間接続点がモータへの出力端子に接続されている上アームスイッチング素子及び下アームスイッチング素子と、 前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の駆動信号を出力するマイコンと、 前記ドライバに設けられ、前記マイコンからの前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の制御信号をICチップ内部に設けられたパルストランスを介して伝達し、当該パルストランスを介して伝達された前記下アームスイッチング素子の制御信号を下アームスイッチング素子へ出力する下アーム側回路と、 前記下アーム側回路のパルストランスを介して伝達された前記上アームスイッチング素子の制御信号の電位変換を行うレベルシフト回路と、 前記レベルシフト回路で電位変換された前記上アームスイッチング素子の制御信号を上アームスイッチング素子へ出力する上アーム側回路と、 を有する電力変換装置。
IPC (1件)：
H02M 1/08
FI (2件)：
H02M1/08 301A ,  H02M1/08 A
Fターム (8件)：
5H740AA00 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB05 ,  5H740BB10 ,  5H740KK03 ,  5H740MM01 ,  5H740PP02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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