特許
J-GLOBAL ID:200903096580009061
有機ILD(インターレベル誘電体)内のバイア抵抗シフトを除去する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-124691
公開番号(公開出願番号):特開2004-006852
出願日: 2003年04月30日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】低誘電率k有機ILD素材を使用している、サブミクロンの半導体集積回路中の、ライナー/銅(Cu層)の下部の界面で、しばしば発生する、バイア抵抗を低減すること。【解決手段】上部層30に接着触媒を適用し、その上に有機インターレベル誘電体を付着する前に薄膜接着触媒を酸化して薄い2酸化シリコン状薄膜50とすることによって、マルチレベルの金属および有機インターレベル誘電体を具体化する半導体ウェハーの熱サイクル中のバイア抵抗問題を低減する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
ダマシンプロセスまたはデュアルダマシンプロセスにおいて、有機インターレベル誘電体内のバイア抵抗シフトを防ぐための方法であって、
前もって形成されたキャップ層に、接着触媒層でコーティングするステップと、
前記接着触媒層を酸化し、前記キャップ層上に2酸化シリコン状薄膜層を形成するステップと、
前記2酸化シリコン状薄膜層に、有機インターレベル誘電体のコーティングを適用するステップと
を含む方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/88 B
, H01L21/316 A
Fターム (32件):
5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033PP33
, 5F033QQ48
, 5F033QQ89
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033WW03
, 5F033WW05
, 5F033WW06
, 5F033WW07
, 5F033XX14
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F058BA10
, 5F058BB06
, 5F058BC02
, 5F058BE10
, 5F058BF73
, 5F058BJ02
引用特許:
出願人引用 (7件)
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電子装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-361144
出願人:ソニー株式会社
-
特開昭63-140539
-
半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-009925
出願人:ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
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審査官引用 (8件)
-
電子装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-361144
出願人:ソニー株式会社
-
特開昭63-140539
-
特開昭63-140539
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