有機ILD(インターレベル誘電体)内のバイア抵抗シフトを除去する方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-124691
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006852
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】低誘電率k有機ILD素材を使用している、サブミクロンの半導体集積回路中の、ライナー/銅(Cu層)の下部の界面で、しばしば発生する、バイア抵抗を低減すること。【解決手段】上部層30に接着触媒を適用し、その上に有機インターレベル誘電体を付着する前に薄膜接着触媒を酸化して薄い2酸化シリコン状薄膜50とすることによって、マルチレベルの金属および有機インターレベル誘電体を具体化する半導体ウェハーの熱サイクル中のバイア抵抗問題を低減する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ダマシンプロセスまたはデュアルダマシンプロセスにおいて、有機インターレベル誘電体内のバイア抵抗シフトを防ぐための方法であって、前もって形成されたキャップ層に、接着触媒層でコーティングするステップと、前記接着触媒層を酸化し、前記キャップ層上に2酸化シリコン状薄膜層を形成するステップと、前記2酸化シリコン状薄膜層に、有機インターレベル誘電体のコーティングを適用するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/3205 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L21/88 B , H01L21/316 A

Fターム (32件)：

5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ48 , 5F033QQ89 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA10 , 5F058BB06 , 5F058BC02 , 5F058BE10 , 5F058BF73 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (7件)

電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-361144 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-140539
半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-009925 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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審査官引用 (8件)

電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-361144 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-140539
特開昭63-140539

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