特許
J-GLOBAL ID:200903096594858584

薄膜圧電共振器及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 堀口 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-115184
公開番号(公開出願番号):特開2005-303573
出願日: 2004年04月09日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
【課題】 高配向の圧電膜を有し、スプリアス振動を起こす等の不具合を生ずることのない薄膜圧電共振器を得る。【解決手段】 薄膜圧電共振器中の下部電極3、圧電膜4を連続的に形成し、かつ圧電膜4表面のシリコン基板1からの高さを圧電膜側面に形成されたスペーサとなる絶縁膜6表面の高さと同等にし、上部電極7が一平面形状となるよう形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面、裏面を貫通するように形成された貫通孔を有する基板と、 前記貫通孔上に一平面状に形成された下部電極と、 前記下部電極上に一平面状に形成された圧電膜と、 前記下部電極、圧電膜側面に形成され、その表面が前記圧電膜の表面と同一平面をなす絶縁膜と、 前記圧電膜上に形成された上部電極と を具備することを特徴とする薄膜圧電共振器。
IPC (6件):
H03H9/17 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02
FI (6件):
H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z
Fターム (12件):
5J108AA01 ,  5J108AA06 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108FF05 ,  5J108KK01 ,  5J108MM11
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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