特許
J-GLOBAL ID：200903096795732570

薄膜製造方法

発明者：
木内 正人

木内 正人 について

, 
柳谷 隆彦

柳谷 隆彦 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329005
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147214
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】結晶c軸を一定方向に配向させることができる薄膜製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板10に対してイオンビームを照射するとともに、基板10とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板10上に形成される薄膜の結晶c軸を基板面内方向で一方向に配向させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ前記基板に対してイオンビームを照射するとともに、前記基板と前記イオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板上に形成される薄膜の結晶c軸を基板面内方向で一方向に配向させる、薄膜製造方法。
IPC (8件)：
H01L 41/24 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/08 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 ,  H01L 41/18
FI (8件)：
H01L41/22 A ,  C23C14/22 F ,  C23C14/08 C ,  C30B29/16 ,  C30B23/08 Z ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 C ,  H01L41/18 101Z
Fターム (24件)：
4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BB07 ,  4G077DA04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA11 ,  4G077SB06 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029CA02 ,  4K029CA09 ,  4K029DA08 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029JA01 ,  5J097FF02 ,  5J097GG07 ,  5J097HA03 ,  5J097HA10 ,  5J097KK01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公昭50-23918号公報
審査官引用 (6件)
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