特許
J-GLOBAL ID：200903096877589210
半導体膜とその製造方法、およびそれを用いた太陽電池とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-174425
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117012
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 キャリア濃度が効果的に制御された半導体膜とその製造方法、およびそれを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体膜は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ia族元素およびVb族元素が添加された組成を有する。これにより、キャリア濃度が効果的に制御された半導体膜を提供する。また、本発明の太陽電池(1)は、基板(11)と、基板(11)上に光吸収層(13)として設けられた本発明の半導体膜とを有する。これにより、キャリア濃度が効果的に制御された光吸収層を設けて、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ia族元素およびVb族元素が添加された組成を有する半導体膜。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F051AA10
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051DA03
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051GA02
, 5F051GA03
