特許
J-GLOBAL ID：200903097085849947
活性窒素を使用して窒化膜を形成するアニール方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279228
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121452
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 アンモニアを使用する必要もなく、酸素を絶えず排除する必要もない、簡単なプロセスおよび装置によって、窒化膜を形成するアニール方法を提供する。【解決手段】基板12上に膜状の窒化物を形成する材料を形成した後、窒素活性化室20で発生した、活性窒素の雰囲気中で窒化物を組成する材料膜に対するアニールを加熱ランプ16で行う。
請求項（抜粋）：
基板を準備するステップと、前記基板上に膜状の窒化物を形成する材料を形成するステップと、活性窒素の雰囲気中で前記窒化物を形成する材料膜に対するアニールを行って、窒化膜を形成するステップとを具備することを特徴とする活性窒素を使用して窒化膜を形成するアニール方法。
引用特許：
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