特許
J-GLOBAL ID：200903097166033410
ガリウム含有窒化物単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013114
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206403
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】危険の少ない、安価な設備により達成できる、ガリウム含有窒化物単結晶の融液成長を可能とする方法、特に、常圧で実施できる方法の提供。【解決手段】結晶成長チャンバ内の容器に保持した溶融ガリウムと窒素ガスの反応により種結晶基板上にガリウム含有窒化物単結晶を成長させる方法において、ガリウム(Ga)の共晶合金融液を形成し、メッシュ状、ストライプ状、又は穴あき水玉模様の触媒金属を付着させた種結晶基板を該共晶合金融液中に浸漬し、該融液の表面の窒素供給源を含有する空間部から該共晶合金融液中に溶け込む窒素と共晶合金成分のガリウムとの該種結晶基板面における反応によって、該種結晶基板表面にガリウム含有窒化物単結晶相をグラフォエピタキシー(Grapho-epitaxy)法により成長させることを特徴とするガリウム含有窒化物単結晶の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶成長チャンバ内の容器に保持した溶融ガリウムと窒素ガスの反応により種結晶基板上
にガリウム含有窒化物単結晶を成長させる方法において、
ガリウム(Ga)の共晶合金融液を形成し、メッシュ状、ストライプ状、又は穴あき水玉模様
の触媒金属を付着させた種結晶基板を該共晶合金融液中に浸漬し、該融液の表面の窒素供
給源を含有する空間部から該共晶合金融液中に溶け込む窒素と共晶合金成分のガリウムと
の該種結晶基板面における反応によって、該種結晶基板表面にガリウム含有窒化物単結晶
相をグラフォエピタキシー(Grapho-epitaxy)法により成長させることを特徴とするガリ
ウム含有窒化物単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/38
, C30B19/04
, C30B19/12
C30B29/38 D
, C30B19/04
, C30B19/12
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA26
, 4G077QA34
, 4G077QA71
, 4G077QA74
