特許
J-GLOBAL ID：200903097199110542

固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器

発明者：
折田 城彦

折田 城彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246689
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059834
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 遮光膜の開口部周辺の端縁部で反射されていた斜め光を光電変換領域側に入射させて集光率を向上させ、受光感度を向上させる。【解決手段】 光電変換領域3および、電荷転送領域4上の遮光膜11を覆うバリア層の第1絶縁膜12Aの屈折率を、その上の平坦化層である第2絶縁膜13Aの屈折率よりも低く設定している。これらの二つの層の界面での光の屈折を利用して、遮光膜11の開口部周辺の端縁部付近に斜めに入射してきた光A1が、バリア層と平坦化層との界面で屈折により内側の光電変換領域3側に曲げられて、従来、遮光膜11の端縁部で反射していた光も光電変換領域3側に入射させてその入射光の光電変換領域3への集光率を向上させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に入射光を信号電荷にそれぞれ変換する複数の光電変換領域が設けられ、該複数の光電変換領域上方に、少なくとも2層構造の透明な各絶縁膜が設けられ、該各絶縁膜のうち、該光電変換領域に近い側の絶縁膜の屈折率が、該光電変換領域に遠い側の絶縁膜の他方の屈折率よりも低く設定されている固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L31/02 A
Fターム (26件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  5C024BX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F088AA01 ,  5F088AB02 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088CA01 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088GA03 ,  5F088HA10 ,  5F088HA12 ,  5F088HA13 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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