特許
J-GLOBAL ID：200903097221517422

支持基板およびその支持基板を用いた半導体装置の形成方法並びに半導体装置

発明者：
小野 正人

小野 正人 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173952
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353893
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 量産性よく、半導体装置の支持基板を形成する。【解決手段】 本発明は、半導体素子と電気的に接続する導体配線を有し、該半導体素子を搭載する支持基板の形成方法であって、セラミックス基板1の表面に、導電性部材により第一のパターンニング2a、2b、2cを施す第一の工程と、上記第一のパターンニングがされた面にサンドブラスト処理を施す第二の工程と、上記サンドブラスト処理により表出したセラミック素地面に対し、上記第一のパターニングと電気的に接続するように、導電性部材により第二のパターンニング5を施す第三の工程とを有することを特徴とする支持基板の形成方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と電気的に接続する導体配線を有し、該半導体素子を搭載する支持基板の形成方法であって、 セラミックス基板の表面に、導電性部材により第一のパターンニングを施す第一の工程と、 前記第一のパターンニングがされた面にサンドブラスト処理を施す第二の工程と、 前記サンドブラスト処理により表出したセラミック素地面に対し、前記第一のパターニングと電気的に接続するように、導電性部材により第二のパターンニングを施す第三の工程とを有することを特徴とする支持基板の形成方法。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L23/13 ,  H05K3/00
FI (3件)：
H01L33/00 N ,  H05K3/00 J ,  H01L23/12 C
Fターム (13件)：
5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041EE11 ,  5F041EE16
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-018275   出願人：日亜化学工業株式会社
  • セラミックパッケージの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-353362   出願人：株式会社住友金属セラミックス
審査官引用 (5件)
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