特許
J-GLOBAL ID：200903097566139099
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120408
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311947
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】ヒューズのためにAlに代えてCuを用いる。【解決手段】多層配線部分4,5と、多層配線部分4,5の間に介設されるヒューズ部分11とからなり、ヒューズ部分11は酸化を受けて高抵抗化する銅が用いられている。銅は低温で酸化して、銅の酸化は他の層の物性を変化させない。多層配線部分4,5は銅が用いられている。更に、低誘電率層3からなり、低誘電率層3は、ヒューズ部分11に接合している。銅の酸化時に低誘電率層の別姓が変化しない。銅の酸化は速やかに深層まで進み、溶断よりも低温で酸化が可能であり、低誘電率層を破壊しない。
請求項（抜粋）：
多層配線部分と、前記多層配線部分の間に介設されるヒューズ部分とからなり、前記ヒューズ部分は酸化を受けて高抵抗化する銅が用いられている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/82 F
, H01L 27/10 691
5F064EE22
, 5F064EE32
, 5F064EE42
, 5F064EE43
, 5F064FF02
, 5F064FF27
, 5F064FF32
, 5F064FF42
, 5F083GA28
, 5F083GA29
, 5F083JA37
, 5F083ZA10
