特許

J-GLOBAL ID：200903097569106981

半導体装置

発明者： 古澤 健志 ,  三浦 典子 ,  後藤 欣哉 ,  松浦 正純
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264014
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080369
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 半導体装置において、クラックによるシールリング破壊をより効率良く強力に防止することができるようにする。【解決手段】 半導体装置は、比誘電率が3.5未満の低誘電率膜を含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリング123を1本以上備え、シールリング123のうち少なくとも1本は、チップコーナー4近傍において内向きに凸形状になるシールリング凸形部10を含む。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

比誘電率が3.5未満の低誘電率膜を含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリングを1本以上備え、 前記シールリングのうち少なくとも1本は、チップコーナー近傍において内向きに凸形状になるシールリング凸形部を含む、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (1件)：

H01L21/88 S

Fターム (14件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM21 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033UU01 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許US6,365,958B1号
  
• 米国特許US5,572,067号
  
• 米国特許出願公開US2004/0002198A1号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-332844   出願人：株式会社東芝, 東芝エルエスアイ・パッケージソリューション株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-324210   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-286687   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274544   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-220073   出願人：NECエレクトロニクス株式会社