特許
J-GLOBAL ID：200903097816346354

半導体装置の製造方法

発明者：
竹脇 利至

竹脇 利至 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047855
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252286
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】配線溝の形成において比誘電率の小さいエッチングストッパ膜を使用できるようにし、溝配線間の寄生容量の低減を可能にする。【解決手段】水素原子を含有するシリコン酸化膜であって、ドライエッチング時に前記水素を放出し、プラズマ励起のエッチング活性種の量を低減するシリコン酸化膜を配線溝形成のドライエッチングでのエッチングマスクとして、被エッチング絶縁膜材料を選択的にエッチングする。このようにして、配線溝を高精度に形成し溝配線を形成する。
請求項（抜粋）：
水素原子を含有するシリコン酸化膜であって、ドライエッチング時に前記水素を放出し、プラズマ励起のエッチング活性種の量を低減するシリコン酸化膜(以下、水素含有の酸化膜と呼称する)をドライエッチングのマスクとして、被エッチング絶縁膜材料を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A
Fターム (47件)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA15 ,  5F004EA23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR26 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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