特許
J-GLOBAL ID:200903097860370068

ポリシラン共重合体、その製造方法、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子写真感光体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 久保山 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-192665
公開番号(公開出願番号):特開平11-035687
出願日: 1997年07月17日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】高分子材料としての優れた成形性を発揮できる高分子量を有し、かつ高い正孔ドリフト移動度を有するポリシラン共重合体、その製造方法および該ポリシラン共重合体を用いた素子を提供する【解決手段】一般式(1)で示される繰り返し単位を10〜90モル含み、かつ、該ポリシラン共重合体の正孔ドリフト移動度の電界強度・温度依存性を測定し、下記数式(1)に当てはめることで得られる値σが0.08以上で0.1未満であるポリシラン共重合体、及び該ポリシラン共重合体製法。[R1はアルキル基他、Ar1、A2Ar3は,よいアリール基等](Eは電界強度、Tは絶対温度、μ(E,T)は正孔ドリフト移動度、kはボルツマン定数、Cは定数、σはホッピングサイトのエネルギー分布、Σは空間的分布。)。
請求項(抜粋):
主鎖がケイ素-ケイ素単結合で形成されているポリシラン共重合体であって、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を10〜90モル含み、かつ、該ポリシラン共重合体の正孔ドリフト移動度の電界強度・温度依存性を測定し、下記数式(1)に当てはめることで得られる値σが0.08以上で0.1未満であることを特徴とするポリシラン共重合体。【化1】[式中、 R1は置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示し、Ar1は置換されていてもよいアリーレン基を示し、A2およびAr3は,それぞれ独立に,置換されていてもよいアリール基、下記一般式(2)【化2】(式中、Ar4は置換されていてもよいアリーレン基、R2およびR3は,それぞれ独立に,置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。)で表される芳香族アミン骨格を有する基、または、下記一般式(3)【化3】(式中、Ar5は置換されていてもよいアリーレン基、R4およびR5は,それぞれ独立に、水素原子、または置換されていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基を示し、Ar6は置換されていてもよいアリール基を示す。)で表される芳香族エテニレン骨格を有する基を示す。また、Ar1とAr2の間、Ar1とAr3の間、または、Ar2とAr3の間、あるいは、R2とAr4の間、R3とAr4の間、R2とR3の間に環を形成していてもよい。]【数1】(ここで、Eは電界強度、Tは絶対温度、μ(E,T)は電界強度E,温度Tにおける正孔ドリフト移動度、kはボルツマン定数、Cは定数を表わす。また、σはホッピングサイトのエネルギー的分布を表わすパラメータ、Σはホッピングサイトの空間的分布を表わすパラメータで、μ0はホッピングサイトにエネルギー的、空間的分布がないときの正孔ドリフト移動度を表わす。)。
IPC (3件):
C08G 77/60 ,  G03G 5/07 ,  H05B 33/22
FI (3件):
C08G 77/60 ,  G03G 5/07 ,  H05B 33/22
引用特許:
審査官引用 (25件)
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