特許
J-GLOBAL ID：200903097896232400

半導体素子の製造方法および半導体素子の製造装置

発明者：
中澤 治雄

中澤 治雄 について

, 
桐沢 光明

桐沢 光明 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078009
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268487
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 Si基板に形成される不純物層の活性化率を向上させる。【解決手段】 FZ-N基板を用いたNPT型IGBTのp+コレクタ層を形成する際、FZ-N基板を400°C〜500°Cに加熱した状態でその裏面にボロンを注入する。室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。活性化率はイオン注入温度400°Cで約2%、500°Cで約5%となり、室温でのイオン注入後に400°Cで1時間の電気炉アニールを行ったときの活性化率約1.8%に比べ高い活性化率が得られるようになる。これにより、基板加熱の効果でp層を活性化することができ、良好なp+コレクタ層を形成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板に形成される不純物層を活性化する工程を有する半導体素子の製造方法において、 前記シリコン基板の温度を400°C〜500°Cにした状態で前記シリコン基板に不純物をイオン注入することによって、前記不純物層を活性化することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/265 ,  H01L21/268
FI (4件)：
H01L21/265 602A ,  H01L21/265 602C ,  H01L21/265 602Z ,  H01L21/268 J
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (20件)
  • イオン注入法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314886   出願人：工業技術院長
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-241953   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-191867   出願人：富士通株式会社
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