特許
J-GLOBAL ID:200903097959205506
基材外周処理方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
渡辺 昇
, 原田 三十義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-195962
公開番号(公開出願番号):特開2006-049870
出願日: 2005年07月05日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
【課題】 半導体ウェハ等の基材の外周部の不要膜を効率良く輻射加熱し、エッチングレートを高める。【解決手段】 基材90をステージ10の上面に設置し支持する。この基材90の外周部の一箇所(被処理位置P)に吹出しノズル75からオゾン等の反応性ガスを供給する。基材90の上側かつ半径外側に照射部22を配置し、この照射部22から熱光線としてレーザL20を被処理位置Pに向けて斜めに収束照射する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基材の外周部に被膜された不要物を反応性ガスと接触させて除去する方法であって、
基材をステージで支持し、
前記基材の外周部に向けて、熱光線を基材の半径外側に傾倒された方向から照射しながら、前記反応性ガスを供給することを特徴とする基材外周処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/302
, G03F 7/42
, H01L 21/304
, H01L 21/027
FI (5件):
H01L21/302 201A
, G03F7/42
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 645D
, H01L21/30 577
Fターム (15件):
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096CA14
, 2H096DA10
, 2H096JA02
, 5F004AA14
, 5F004BA19
, 5F004BB02
, 5F004BB18
, 5F004BB24
, 5F004DA27
, 5F004DB23
, 5F004EA20
, 5F046JA15
, 5F046MA11
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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