熱触媒体内蔵カソード型PECVD装置、それを用いて作製した光電変換装置並びにその製造方法、および熱触媒体内蔵カソード型PECVD法、それを用いるCVD装置、その方法により形成した膜並びにその膜を用いて形成したデバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038686
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173980
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 Si系薄膜を高速かつ高品質に低コストで製膜することができる熱触媒体内蔵カソード型PECVD装置及びそれを用いて作製する光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】高周波電源に接続された複数のガス噴出穴を有するシャワー電極から水素ガスとSi系ガスを噴出させて被製膜基板上に製膜する熱触媒体内蔵カソード型PECVD装置において、前記水素ガスの導入経路は、前記Si系ガスの導入経路とは前記シャワー電極を通過するまで分離されており、かつ前記シャワー電極よりも上流側の前記水素ガスの導入経路に直流電源に接続された熱触媒体が配設されており、前記シャワー電極と被製膜基板との間の距離が3cm以下であって、前記シャワー電極の隣接する2つのガスの噴出穴間の距離は、前記シャワー電極と前記被製膜基板との間の距離以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高周波電源に接続された複数のガス噴出穴を有するシャワー電極から水素ガスとSi系ガスを噴出させて被製膜基板上に製膜する熱触媒体内蔵カソード型PECVD装置において、前記水素ガスの導入経路は、前記Si系ガスの導入経路とは前記シャワー電極を通過するまで分離されており、かつ前記シャワー電極よりも上流側の前記水素ガスの導入経路に直流電源に接続された熱触媒体が配設されており、前記シャワー電極と被製膜基板との間の距離が3cm以下であって、前記シャワー電極の隣接する2つのガス噴出穴間の距離は、前記シャワー電極と前記被製膜基板との間の距離以下であることを特徴とする熱触媒体内蔵カソード型PECVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 31/04 V

Fターム (39件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 4K030KA14 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AB07 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB01 , 5F045BB09 , 5F045CA13 , 5F045DP02 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EK05 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CA16 , 5F051CA40

引用特許：

出願人引用 (7件)

プラズマCVD法およびそれに用いる装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130858 出願人：京セラ株式会社
プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000970 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開平3-239320

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審査官引用 (6件)

プラズマCVD法およびそれに用いる装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130858 出願人：京セラ株式会社
プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000970 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開平3-239320

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