特許
J-GLOBAL ID：200903098095625350
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 清水 邦明
, 林 鉐三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065633
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259779
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】良好な電気的特性を有する薄い構造のIGBTを安定して作製すること。【解決手段】本発明のIGBTは、n+バッファ層13の下に、正孔の注入量を決めるp+高濃度ドレイン層12と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するp-低濃度ドレイン層11を有している。裏面研削後、アルミニウムを含むドレイン電極31によって、p-低濃度ドレイン層11とオーミック接合が形成されるので、ドレインコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相対的に不純物濃度が低い第1導電型の低濃度ドレイン層と、
前記低濃度ドレイン層の上面に形成された相対的に不純物濃度が高い第1導電型の高濃度ドレイン層と、
前記高濃度ドレイン層の上面に形成された第2導電型のバッファ層と、
前記バッファ層の上面に形成された第2導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面領域に形成されたベース領域、ソース領域、及びゲート電極を含むMOSゲート構造と、
前記低濃度ドレイン層の下面に形成されたアルミニウムを含むドレイン電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 655C
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658E
出願人引用 (6件)
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半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-260976
出願人：富士電機株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-395241
出願人：株式会社東芝
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特開平2-309676
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審査官引用 (5件)
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