半導体装置の入力保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307591
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148527
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】低占有面積でサージ耐性に優れた入力保護回路を実現する。【解決手段】外部電源線(102)と内部降圧回路(105)からの内部電源電位が伝達される内部電源線(106)との間にこの外部電源線(102)に過渡高電圧サージ発生時に導通して外部電源線(102)と内部電源線(106)とを電気的に接続する高電圧導通機構(110)が設けられる。接地線と外部電源線とが平行して配設されていない場合においても、長距離にわたって幅の広いフィールドトランジスタまたは絶縁ゲート型電界効果トランジスタで構成される高電圧導通機構を形成することができる。

請求項（抜粋）：

外部から供給される電源電位を受けて内部へ伝達するための外部電源ノード、前記外部電源ノードから供給される外部電源電位を変換して内部電源ノード上に内部電源電位を発生する内部電源電位発生手段、および前記外部電源ノードに結合される第1のノードと、前記内部電源ノードに結合される第2のノードとを有し、前記第1のノードへの前記外部電源電位の通常時の電圧よりも高い電圧の印加時に導通して前記第1のノードと前記第2のノードとを電気的に接続する高電圧導通機構を備える、半導体装置の入力保護回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/06 311 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-094164
特開平4-094164
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268448 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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