特許
J-GLOBAL ID：200903098250377920
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018140
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204455
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 高融点金属シリサイド層を除去することなくその上の絶縁物である炭素フッ化物及び酸化物のみを除去して、上層の配線等と高融点金属シリサイド層とを低抵抗で電気的に接続する。【解決手段】 CoSi2 層12上の炭素フッ化物及び酸化物15と励起状態の水素原子(H* )とを反応させる。励起状態の水素原子による還元で、炭素フッ化物及び酸化物15中の炭素フッ化物はCH4 及びHFとして揮発除去され、酸化物はH2 Oとして揮発除去される。しかし、励起状態の水素原子にCoSi2層12が曝されても、Coの水素化物が非常に生成されにくいので、CoSi2層12は殆ど揮発除去されない。
請求項（抜粋）：
高融点金属シリサイド層上の絶縁物と励起状態の水素原子とを反応させて、前記高融点金属シリサイド層上から前記絶縁物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/302 N
, H01L 21/88 N
, H01L 21/90 C
