特許
J-GLOBAL ID:200903098305861460

人工格子多層膜の着膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-029906
公開番号(公開出願番号):特開平10-226878
出願日: 1997年02月14日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 高精度磁気センサやHDD用磁気ヘッド等に使用されるGMR特性を有する人工格子多層膜を容易に且つ大量に生産することを目的とする。【解決手段】 円筒状のチムニ26の下面にターゲット23とマグネトロン磁石25とを介して設けられたカソード24を有し、チムニ26の上面を基板33が通過することにより、ターゲット23の表面よりスパッタリングされた分子を着膜させる人工格子多層膜の着膜装置において、チムニ26の上面にプラズマリング上にチムニトップ開口部30を有するチムニトップ29を備えて、多層膜界面の平滑性を損なうスパッタ分子の斜め成分の着膜の寄与を防ぐことにより、良好な人工格子多層膜を成膜する。
請求項(抜粋):
下面にマグネトロン磁石を有するターゲットと、少なくとも前記ターゲットを覆いかつ前記ターゲットと対向する面を開放してなる筒状のチムニと、前記チムニの開放を封止するとともに前記ターゲットと対向する面にチムニトップ開口部を有するチムニトップとからなる人工格子多層膜の着膜装置において、前記チムニトップの上面を基板が通過する際に、前記ターゲットの上面よりプラズマリングを発生してスパッタリングされた分子を前記基板上に着膜させる人工格子多層膜の着膜装置。
IPC (2件):
C23C 14/35 ,  H01F 10/08
FI (2件):
C23C 14/35 Z ,  H01F 10/08
引用特許:
審査官引用 (9件)
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