特許

J-GLOBAL ID：200903098479812085

化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ

発明者： 亀井 宏二
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-241319
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093675
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 逆方向電圧が高く安定性に優れ、かつ、生産性にも優れた反射率の高い化合物半導体発光素子用正極を提供すること。【解決手段】 銀合金からなる反射層を有することを特徴とする化合物半導体発光素子用正極10を形成し、銀のエレクトロマイグレーションを抑制する。反射層とp型半導体層5の間にコンタクトメタル層を形成し低接触抵抗を実現する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

銀合金からなる反射層を有することを特徴とする化合物半導体発光素子用正極。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (14件)：

5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345584   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345585   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036619   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287623   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-219326   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝
• 放射線を放出するGaNを基礎とするエピタキシー連続層を有するルミネセンスダイオードチップおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-587491   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287623   出願人：松下電子工業株式会社
• 放射線を放出するGaNを基礎とするエピタキシー連続層を有するルミネセンスダイオードチップおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-587491   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-219326   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝