特許
J-GLOBAL ID：200903089191804313
半導体光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051786
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251682
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】劈開工程に起因する半導体光素子の特性不良を低減し、かつ劈開工程における素子歩留まりを飛躍的に向上させる。【解決手段】半導体素子表面光導波路方向と垂直方向に、キャビティを構成しない側の素子端面からもう一方の同端面に渡ってストライプ状の裏面電極を形成しかつ、半導体光素子表面光導波路方向と垂直方向にのみ半導体基板材料で構成された劈開しろを形成した構造をとる。
請求項（抜粋）：
半導体光素子において、半導体素子表面にメサ型光導波路を有してなる半導体素子基板側(以下、素子裏面)構造において、半導体素子表面メサ型光導波路方向と垂直方向に、メサ型光導波路と平行方向である素子端面からもう一方の同端面に渡ってストライプ状の裏面電極が形成され、かつ上記素子裏面構造において半導体光素子表面メサ型光導波路方向と垂直方向に、前記ストライプ状の裏面電極の外側両方に裏面電極材料でなく半導体基板材料で構成され、かつ垂直方向にそって劈開しろを形成し、かつ上記素子裏面構造において半導体光素子表面メサ型光導波路方向と平行方向には同方向にそって前記劈開しろを形成しないことを特徴とする半導体光素子。
引用特許：
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