半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359673
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042662
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁膜14,15に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜15上に導電性バリア膜18と銅の主導体膜19を形成し、CMP法により不要な部分を除去して配線20を形成する。そして、主導体膜19上にタングステンからなる金属キャップ膜22を選択成長させてから、配線20を埋込んだ絶縁膜15上に絶縁膜23〜26を形成し、ビア30が金属キャップ膜22を貫通して主導体膜19を露出するようにビア30及び配線溝31を形成し、ビア30の底部で露出した主導体膜19上にタングステンからなる金属キャップ膜32を選択成長させた後に、ビア30および配線溝31の内部を含む絶縁膜26上に導電性バリア膜33と銅の主導体膜34を形成し、CMP法により不要な部分を除去して配線35を形成する。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜に形成された第1開口部と、前記第1開口部の側壁および底部上に形成された第1バリア導体膜と、前記第1開口部内を埋めるように前記第1バリア導体膜上に形成された銅を主成分とする第1導体膜とを有する第1配線と、前記第1導体膜上に形成された第1キャップ導体膜と、前記第1絶縁膜および前記第1キャップ導体膜上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜に形成され、その底部で前記第1導体膜を露出する第2開口部と、前記第2開口部の底部で露出する前記第1導体膜上に形成された第2キャップ導体膜と、前記第2開口部の側壁上と底部の前記第2キャップ導体膜上に形成された第2バリア導体膜と、前記第2開口部内を埋めるように前記第2バリア導体膜上に形成された銅を主成分とする第2導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L21/88 M , H01L21/88 R , H01L21/306 F

Fターム (129件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033KK36 , 5F033LL04 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN17 , 5F033PP06 , 5F033PP08 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ93 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV07 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX21 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F033XX31 , 5F033XX33 , 5F043AA22 , 5F043AA26 , 5F043AA40 , 5F043BB15 , 5F043BB18 , 5F043FF10 , 5F043GG02 , 5F043GG04

引用特許：

出願人引用 (4件)

配線間の接続構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-144957 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-260377 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-135041 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-135041 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-260377 出願人：富士通株式会社
集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-092472 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション

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