特許
J-GLOBAL ID：200903044233743987

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
齋藤 達之

齋藤 達之 について

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大橋 直史

大橋 直史 について

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今井 俊則

今井 俊則 について

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野口 純司

野口 純司 について

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田丸 剛

田丸 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319928
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置の高速化を図り、また、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの発生を抑え、配線寿命を長くする技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に形成された酸化シリコン膜23および窒化シリコン膜22中の配線溝内を含む酸化シリコン膜23上にバリア層26aおよび銅膜26bを順次形成後、前記配線溝外部のバリア層26aおよび銅膜26bを除去することによって配線26を形成し、配線26上にタングステンを選択成長もしくは優先成長させることにより、配線26上にタングステン膜26cを形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に形成された第1の絶縁膜中に配線溝を形成する工程と、(b)前記配線溝内を含む前記第1の絶縁膜上にバリア層および導電性膜を順次形成後、前記配線溝外部の前記バリア層および導電性膜を除去することによって配線を形成する工程と、(c)前記配線上にキャップ導電性膜を選択成長もしくは優先成長させることにより、前記配線上にキャップ導電性膜を形成する工程と、(d)前記キャップ導電性膜および前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (6件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/08 321 F
Fターム (157件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD47 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE06 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  4M104HH11 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV06 ,  5F033VV09 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX15 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF00 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27
引用特許：
審査官引用 (8件)
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