特許
J-GLOBAL ID：200903098617423931
光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220068
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063957
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 ショットキー障壁を利用した光電変換装置において、金属酸化物半導体の光吸収性を増加させるバンドギャップの低減化を図り、バンドギャップ内に不純物準位を形成せず、光吸収で生じたキャリアがバンドの曲がりでトラップされることなく移動して光電変換作用を良好に行なわせること。 【解決手段】 導電性支持体2上に、光電変換を行なう金属酸化物半導体3が透光性および導電性を有する母相である正孔輸送層4中に存在する状態で配設して成り、金属酸化物半導体3中に、窒素,炭素,弗素,硫黄,塩素,リンの中から選択された1種以上の元素が含有されていることを特徴とする光電変換装置1とする。これにより、光吸収量が増し、光電変換効率を高めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性支持体上に、光電変換を行なうための、窒素,炭素,弗素,硫黄,塩素,リンの中から選択された1種以上の元素を含有している金属酸化物半導体を、透光性を有する導電体中に存在する状態で配設したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051DA05
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE20
, 5H032HH01
