ショットキーダイオードの性能を向上させる第2のショットキー接触金属層

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文 , 吉田尚美 , 中村綾子 , 岡本正之 , 深川英里 , 森本聡二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-541250
公開番号（公開出願番号）：特表2009-516391
出願日： 2006年11月13日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

ショットキー接触構造(110,112)は、半導体(106)の表面の上部に配置される。第1のショットキー接触金属層(110)は、前記半導体(106)の表面の第1の部分の上部に配置される。第2のショットキー接触金属層(112)は、半導体の表面の第2の部分の上部に配置され、前記第1のショットキー接触金属層(110)に隣接される。前記第1のショットキー接触金属層(110)は、前記第2のショットキー接触金属層(112)よりも小さな仕事関数を有する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

半導体の表面上に配置されたショットキー接触構造であって、前記半導体の表面の第1の部分上に配置された第1のショットキー接触金属層と、前記半導体の表面の第2の部分上に配置され、前記第1のショットキー接触金属層と少なくとも隣接している第2のショットキー接触金属層と、を備え、前記第1のショットキー接触金属層は、前記第2のショットキー接触金属層よりも小さな仕事関数を有すること、を特徴とするショットキー接触構造。

IPC (5件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (6件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/48 M , H01L29/48 P , H01L29/80 H , H01L29/80 M

Fターム (28件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC03 , 4M104DD79 , 4M104FF03 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT02 , 5F102GT03

引用特許：

審査官引用 (7件)

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-013740 出願人：古河電気工業株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140864 出願人：松下電器産業株式会社
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-124900 出願人：富士電機株式会社

全件表示

前のページに戻る