特許
J-GLOBAL ID：200903098730870847
リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028118
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232079
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が発生するのを可及的に防止することを可能にする。【解決手段】 本発明によるリッジ導波型光半導体素子は、第1の導電型の半導体基板1上に形成された第1導電型の第1のクラッド層2と、この第1のクラッド層上に形成した活性層3と、この活性層上に形成した第2導電型の第2のクラッド層4と、この第2のクラッド層上に形成されてリッジ状に加工された第2導電型の第3のクラッド層6と、リッジ形状の第3のクラッド層の両側の第2のクラッド層および活性層に形成され、リッジ形状下の第2のクラッド層よりも抵抗値の高い不純物拡散領域11と、を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成した活性層と、この活性層上に形成した第2導電型の第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成されてリッジ状に加工された第2導電型の第3のクラッド層と、前記リッジ形状の第3のクラッド層の両側の前記第2のクラッド層および前記活性層に形成され、前記リッジ形状下の前記第2のクラッド層よりも抵抗値の高い不純物拡散領域と、を備えたことを特徴とするリッジ導波型光半導体素子。
Fターム (10件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA23
, 5F073DA35
, 5F073EA29
