特許
J-GLOBAL ID：200903098779253428

炭化珪素半導体装置

発明者：
西川 恒一

西川 恒一 について

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前山 雄介

前山 雄介 について

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福田 祐介

福田 祐介 について

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清水 正章

清水 正章 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039235
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220878
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】 素子破壊を防止し得る炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素基板20と、該炭化珪素基板の一方の面にアノードのための電極30と、炭化珪素基板の他方の面にカソードのための電極40と、炭化珪素基板の一方の面側の層の所定位置で所定の間隔を有してアノード電極と電気的なコンタクトを得る第2導電型の炭化珪素領域50と、炭化珪素基板の他方の面側の層において、一方の面層からの空乏層のリーチスルーを誘因すべく、第2導電型の領域に対向する位置でカソード電極と電気的なコンタクトを得る第1導電型の高濃度領域をリーチスルー誘因領域60として備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素基板と、該炭化珪素基板の一方の面にアノードのための電極と、前記炭化珪素基板の他方の面にカソードのための電極と、前記炭化珪素基板の一方の面側の層の所定位置で所定の間隔を有して前記アノード電極と電気的なコンタクトを得る第2導電型の炭化珪素領域と、を備えた炭化珪素半導体装置において、 前記炭化珪素基板の他方の面側の層において、前記一方の面層からの空乏層のリーチスルーを誘因すべく、前記第2導電型の領域に対向する位置で前記カソード電極と電気的なコンタクトを得る第1導電型の高濃度領域をリーチスルー誘因領域として備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (3件)：
H01L29/91 F ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (7件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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